图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 配置 | Single |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 源极击穿电压 | 20 V |
| 连续漏极电流 | 5 A |
| 系列 | IPD50R800 |
| RDS（ON） | 0.8 Ohms |
| 封装 | Reel |
| 功率耗散 | 40 W |
| 商品名 | CoolMOS |
| 封装/外壳 | DPAK-3 |
| 栅极电荷Qg | 12.4 nC |
| 典型关闭延迟时间 | 26 ns |
| 零件号别名 | SP000992076 |
| 上升时间 | 5.5 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 550 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 15.9 ns |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 500 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.5 V |
| 宽度 | 6.22 mm |
| Qg - Gate Charge | 12.4 nC |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 通道数 | 1 Channel |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 7.6 A |
| 长度 | 6.5 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 720 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
| 身高 | 2.3 mm |
| 典型导通延迟时间 | 6.2 ns |
| Pd - Power Dissipation | 60 W |
| 技术 | Si |
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